Plasmaetcherprincipe

Inductively Coupled Plasma Etch (ICPE) is ‘t resultaat vaan ‘n combinatie vaan chemische en fysieke processe. ‘t Basisprincipe is dat, oonder vacuüm en liege drök, de radiofrequentie die door ‘n ICP RF-voeding weurt gegenereerd nao ‘n toroïdale koppelingsspoel weurt oetgevoerd. ‘n Gemengd ètsgaas is in ‘n bepaold deil gekoppeld aon ‘n gloeiende ontlaojing, wat ‘n plasma mit ‘n hoege-dichtheid genereert. Oonder invlood vaan de RF op de oonderste elektrode bombardeert dit plasma ‘t oppervlak vaan ‘t substraot, boedoor de chemische bindinge vaan ‘t houfgeleidermateriaal in ‘t gepatroonde gebeed vaan ‘t substraot breke. Dees vlöchtege substanties reagere mit ut ètsgaas um vlöchtege verbindinge te vörme, die daonao es gasse vaan ut substraot sjeije en oet de vacuümlijn were gepomp.